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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價(jià)比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對(duì)于能源電力的需求越來越大。從而對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng)IC舉例

氮化鎵驅(qū)動(dòng) 廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動(dòng)電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時(shí) ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)方案，供設(shè)計(jì)參考：

氮化鎵外延片工藝流程

氮化鎵外延片的襯底材料可以是硅、碳化硅或者是藍(lán)寶石。外延層通常采用MOCVD的方式實(shí)現(xiàn)低成本、高產(chǎn)出率

GaN LLC LTSPICE 仿真

數(shù)字隔離技術(shù)比較

氮化鎵功率器件損耗分類

GaN單片集成前級(jí)驅(qū)動(dòng)

氮化鎵前級(jí)驅(qū)動(dòng)（Pre-driver占用不到5%的面積）與一個(gè)門極寬度為120mm的E-mode氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)單片集成。好處： ...

GaN單片集成邏輯門電路

2018年，EPFL的研究人員使用氮化鎵D-mode + E-mode單片集成來實(shí)現(xiàn)簡單的邏輯門電路商業(yè)上氮化鎵數(shù)字電路的...

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