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點(diǎn)擊展開(kāi)

芯技術(shù) | 基于芯干線X2M120075T4B的三相5KW熱泵風(fēng)機(jī)電源方案

無(wú)論是大型商業(yè)建筑的中央空調(diào)系統(tǒng)還是熱泵型的家用空調(diào)，熱泵風(fēng)機(jī)都起著關(guān)鍵作用。它可以快速調(diào)節(jié)室內(nèi)溫度，為...

GaN HEMT：POE 交換機(jī)的革新力量

在數(shù)據(jù)流量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)以及 5G 技術(shù)深度普及的當(dāng)下，POE（以太網(wǎng)供電）交換機(jī)作為融合了數(shù)據(jù)傳輸與電力供應(yīng)功能...

芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

氮化鎵與超結(jié)硅不同封裝的結(jié)-殼熱阻（ RthJC ）比較

不同的封裝會(huì)有不同的結(jié)-殼熱阻。但封裝形式的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于芯片自身的尺寸對(duì)結(jié)-殼熱阻的影響。我們使用英飛...

為何GaN HEMT沒(méi)有雪崩擊穿？

GaN有很高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)（硅的10倍）就硅器件而言，高電場(chǎng)導(dǎo)致硅PN結(jié)出現(xiàn)雪崩擊穿 GaN HEMT 更像瓷片電容擊穿，因?yàn)?..

寄生電容: GaN和硅超結(jié)MOS對(duì)比

氮化鎵 HEMT: Coss隨VDS電壓的變化率: Coss(Vds=0.5V)/Coss(Vds=500V)=200pF/41pF=4.89 硅超結(jié)MOS: Coss ...

氮化鎵和超級(jí)結(jié)MOS管比較：dv/dt

氮化鎵比超結(jié)MOS管的dv/dt高很多。在驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的時(shí)候需要特別注意。這里有早些時(shí)候TO220封裝的級(jí)聯(lián)型氮化鎵...

氮化鎵功率器件晶圓級(jí)測(cè)試舉例

測(cè)試未通過(guò)的芯片被標(biāo)記，不被封裝在這個(gè)例子里，我們有: ü所有芯片(die): 229 ü壞的芯片: 32 &...

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