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芯技術(shù) | 基于芯干線X2M120075T4B的三相5KW熱泵風(fēng)機(jī)電源方案

無(wú)論是大型商業(yè)建筑的中央空調(diào)系統(tǒng)還是熱泵型的家用空調(diào)，熱泵風(fēng)機(jī)都起著關(guān)鍵作用。它可以快速調(diào)節(jié)室內(nèi)溫度，為...

GaN HEMT：POE 交換機(jī)的革新力量

在數(shù)據(jù)流量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)以及 5G 技術(shù)深度普及的當(dāng)下，POE（以太網(wǎng)供電）交換機(jī)作為融合了數(shù)據(jù)傳輸與電力供應(yīng)功能...

芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

GaN單片集成邏輯門電路

2018年，EPFL的研究人員使用氮化鎵D-mode + E-mode單片集成來(lái)實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的邏輯門電路商業(yè)上氮化鎵數(shù)字電路的...

SiC對(duì)比Si材料優(yōu)勢(shì) II

碳化硅是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具備高熱導(dǎo)率，高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子報(bào)和漂移速率。其中寬禁帶和高熱導(dǎo)率的特性決定了...

碳化硅摻雜

硬開關(guān)中的DFN及TO220的氮化鎵器件

DFN封裝在開通過(guò)程中，電壓和電流的斜率明顯高于TO220封裝。因?yàn)镈FN封裝有開爾文腳，有更小的共源極電感和回路...

碳化硅平面MOS簡(jiǎn)化工藝流程

碳化硅MOS缺陷密度

近年來(lái)，碳化硅晶圓缺陷密度在不斷降低殺手級(jí)的缺陷已經(jīng)基本消除，然而普通級(jí)的缺陷仍然制約器件的性能發(fā)揮，尤...

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