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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導體器件設計/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運用GaN才能做到最優(yōu)性價比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應用

商業(yè)化的增強型氮化鎵驅動IC舉例

氮化鎵驅動廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅動電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時 ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅動

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅動方案，供設計參考：

氮化鎵與超結MOS管的品質因素(FOM)比較

氮化鎵功率器件品質因數(shù)：Rdson * Qg，遠遠勝過最好的超結MOS管。參考文獻：陳橋梁，功率MOSFET：從原理、特性到應...

氮化鎵器件和硅超結MOS管損耗分析（硬開關）

相同的擊穿電壓，通態(tài)電阻及工作頻率下，根據(jù)以下?lián)p耗公式：損耗分類符號超結MOS 氮化鎵備注導通損耗 ...

氮化鎵可靠性測試項目舉例

典型的JEDEC可靠性測試要求（簡化版）： Test Items Description Requirements Number of Chips from 3 lots ...

氮化鎵超小型65W適配器方案比較

拓撲結構 GaN主開關數(shù)量頻率范圍 (KHz) 效率電路調試難度帶殼體積成本 QR （準諧振反激） 1 100~3...

氮化鎵功率器件測試項目舉例

氮化鎵功率器件測試項目舉例：測試項目名稱 Symbols 靜態(tài)參數(shù)測試 Static (DC) parameters testing Rds...

級聯(lián)型氮化鎵的優(yōu)缺點

Good: 優(yōu)點 ØGaN HEMT天生就是常開型，容易設計和生產 Ø和硅一樣的高閾值電壓 Bad: 缺點 &...

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