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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長(zhǎng)（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價(jià)比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對(duì)于能源電力的需求越來(lái)越大。從而對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng)IC舉例

氮化鎵驅(qū)動(dòng) 廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動(dòng)電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時(shí) ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)方案，供設(shè)計(jì)參考：

氮化鎵單片集成IC介紹

氮化鎵市場(chǎng)趨勢(shì)及價(jià)格

左邊這張圖，雖然老了一些，但可以看個(gè)大概的趨勢(shì)。超結(jié)MOS管在幾年前大約有9億美元的市場(chǎng)。目前可能有十幾億美...

寬禁帶功率器件: 應(yīng)用取代

氮化鎵功率器件開(kāi)爾文源極

氮化鎵功率器件需要有一個(gè)開(kāi)爾文源極(KS)，最新的氮化鎵功率器件幾乎都會(huì)提供KS極。開(kāi)爾文源極降低了共源極寄...

氮化鎵器件仿真舉例

電流崩塌效應(yīng)（動(dòng)態(tài)電阻）原理淺釋

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